| 摘要 |
<p>Das Markieren eines SiC-Wafers (100) mit einem Identifizierer (101) wird durch Bestrahlung mit einem gepulsten Laser unter Verwendung einer Oberwelle einer Wellenlänge, die viermal jene eines YAG-Lasers ist, ausgeführt. Eine Geschwindigkeit, mit der sich ein Laserkopf bewegt, eine Bahn, in der sich der Laserkopf bewegt, die Ausgangsleistung und die Güteschaltfrequenz eines aufzubringenden gepulsten Lasers und dergleichen werden derart bestimmt, dass impulsbestrahlte Markierungen (1), die infolge der Bestrahlung mit entsprechenden Impulsen des gepulsten Lasers ausgebildet werden, einander nicht überlappen.</p> |
