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Eine Gateelektrode (26) ist zum Steuern eines durch eine Halbleiterschicht (SL) fließenden Stroms vorgesehen. Ein Gateisolationsfilm (29) isoliert die Halbleiterschicht (SL) und die Gateelektrode (26) elektrisch voneinander. Ein Leiterabschnitt (24) ist auf der Halbleiterschicht (SL) vorgesehen und mit der Halbleiterschicht (SL) elektrisch verbunden. Ein Zwischenschicht-Isolationsfilm (25) ist auf der Gateelektrode (26) derart vorgesehen, dass der Leiterabschnitt (24) von der Gateelektrode (26) elektrisch isoliert ist. Ein Pufferisolationsfilm (23) bedeckt einen Teilbereich auf dem Leiterabschnitt (24) und dem Zwischenschicht-Isolationsfilm (25) und besteht aus einem Isolator. Eine Elektrodenschicht (21) weist einen Verdrahtungsabschnitt (21w), der auf einem Bereich angeordnet ist, von dem der Leiterabschnitt (24) freiliegt, und einen Kontaktstellenabschnitt (21p), der auf dem Pufferisolationsfilm (23) angeordnet ist, auf. Dadurch kann eine Beschädigung an einem IGBT, die verursacht wird, wenn ein Draht (22) mit dem Kontaktstellenabschnitt (21p) verbunden wird, unterdrückt werden. Ferner kann eine größere elektrische Leistung gehandhabt werden, während das Auftreten eines Bruchs aufgrund einer Stromkonzentration verhindert wird. |
