发明名称 Verbindungsstruktur aus strukturierbarem Low-k-Dielektrikum mit Gradienten-Deckschichtund Herstellungsverfahren
摘要 Es wird eine Verbindungsstruktur bereitgestellt, welche mindestens ein strukturiertes und gehärtetes Low-k-Material (18', 22') umfasst, das auf einer Fläche einer strukturierten Gradienten-Deckschicht (14) angeordnet ist. Das mindestens eine gehärtete und strukturierte Low-k-Material und die strukturierte Gradienten-Deckschicht weisen jeweils darin eingebettete leitfähig gefüllte Bereiche (26) auf. Bei dem strukturierten und gehärteten Low-k-Material handelt es sich um ein gehärtetes Produkt eines funktionalisierten Polymers, Copolymers oder Gemisches, welches mindestens zwei einer beliebigen Kombination von Polymeren und/oder Copolymeren mit einer oder mehreren säureempfindlichen abbildbaren Gruppen umfasst, und die Gradienten-Deckschicht einen unteren Bereich, der als Barrierebereich fungiert, und einen oberen Bereich umfasst, welcher Antireflexeigenschaften einer permanenten Antireflexbeschichtung aufweist.
申请公布号 DE112010003844(T5) 申请公布日期 2012.09.06
申请号 DE20101103844T 申请日期 2010.08.23
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 LIN, QINGHUANG;NEUMAYER, DEBORAH ANN
分类号 H01L21/768;H01L21/027 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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