一种纳米阵列的图案化制备方法

摘要

本发明涉及一种纳米阵列的图案化制备方法，简单易行，且不需要催化剂的辅助。所述纳米阵列的图案化制备方法，是在以金属网为掩模的基片上沉积纳米阵列材料。上述方法可以用于各种纳米材料的图案化生长，根据反应条件(温度、气氛等)和实验要求选择合适的掩膜材料及规格，在各种基片上沉积合成纳米阵列材料。与已有的通过基片表面改性、电子束刻蚀技术及磁控溅射等技术路线相比，本发明的优势在于不需要化学物质对基片进行预处理，环境友好；不需要苛刻的实验条件，成本低；不需要复杂的工艺，操作简单；原料易得，各种规格的网格都有商品化的产品；本方法还可以用于大面积制备各种图案化分布的纳米阵列材料。

主权项

一种纳米阵列的图案化制备方法，其特征在于在以金属网为掩模的基片上沉积纳米材料的阵列，所述纳米材料为AlN纳米材料，所述沉积方法为化学气相沉积法，反应温度不大于800℃时，金属网用Mo、Cu或W网；反应温度大于800℃时，金属网为Mo或W网。