具有背部光传感器和蚀刻分布多频控制的等离子体反应器

摘要

本发明提供了一种具有蚀刻参数的多频控制的等离子体反应器。该反应器包括反应室和该室内的工件支架，该室具有面向该工件支架的顶板以及感应耦合源功率施加器和电容耦合等离子体源功率施加器。一排光纤延伸穿过该工件支架的支撑表面以穿过所述工件的底面观察工件。光学传感器连接到光纤的输出端上。该反应器还包括响应光学传感器以调整通过感应耦合等离子体源功率施加器和电容耦合等离子体源功率施加器同时耦合到室中的等离子体的功率的相对量的控制器。

主权项

一种用于处理工件的等离子体反应器，所述等离子体反应器包括：反应室和所述反应室内的工件支架，所述反应室具有面向所述工件支架的顶板；位于所述顶板上方的感应耦合等离子体源功率施加器和连接到所述感应耦合源功率施加器上的RF功率发生器；电容耦合等离子体源功率施加器，包括位于所述顶板和所述工件支架中的一个上的源功率电极；一排通道，从所述工件支撑台座的底部延伸穿过所述工件支撑台座，并在所述工件支撑的支撑表面中形成一排开口；一排光纤，每条光纤分别延伸穿过所述通道中的一个，每条光纤具有：一观察端，穿过所述支撑表面上的开口而具有一视域，和在所述反应室外侧的输出端；光学传感器，连接到所述光纤的输出端上；以及一控制器响应所述光学传感器来调整通过所述感应耦合等离子体源功率施加器和所述电容耦合等离子体源功率施加器同时耦合到所述反应室内的等离子体的功率相对量。