| 发明名称 | 厚绝缘膜的工艺实现方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种厚绝缘膜的工艺实现方法，包括步骤：(1)在需要长绝缘介质膜的地方，先刻蚀槽；(2)在槽内，根据不同的槽宽，进行炉管氧化；(3)氧化后，成长填孔性较好的绝缘膜；(4)化学机械研磨，把表面的凸起磨平；(5)再把有源区的绝缘膜刻蚀掉，只留下厚的场氧绝缘膜。本发明通过改变刻蚀槽的形貌后，元包之间的二氧化硅绝缘膜在炉管里成长后，改变了应力的方向，测量后曲率半径和进炉管长膜前的曲率半径基本一致，解决了元包之间厚度大于2微米绝缘层的可行办法。 | ||
| 申请公布号 | CN102655093A | 申请公布日期 | 2012.09.05 |
| 申请号 | CN201110049404.6 | 申请日期 | 2011.03.02 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王海军;孙勤 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 高月红 |
| 主权项 | 一种厚绝缘膜的工艺实现方法，包括步骤：(1)在需要长绝缘介质膜的地方，先刻蚀槽；(2)在槽内，根据不同的槽宽，进行炉管氧化；(3)氧化后，成长填孔性较好的绝缘膜；(4)化学机械研磨，把表面的凸起磨平；(5)再把有源区的绝缘膜刻蚀掉，只留下厚的场氧绝缘膜。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||