半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种半导体器件及其制造方法。在pMOS区域(2)内形成凹沟(21)，然后，以覆盖凹沟(21)的底面及侧面的方式形成SiGe层(22)。接着，在SiGe层(22)上，形成含有比SiGe层(22)的含油率低的含有率的Ge的SiGe层(23)。接着，在SiGe层(23)上形成SiGe层(24)。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具有：硅衬底，栅极绝缘膜，其形成在上述硅衬底上，栅电极，其形成在上述栅极绝缘膜上，沟槽，其形成在既是上述栅电极的两侧又是上述硅衬底的表面的位置上，第一半导体层，其覆盖上述沟槽的底面及侧面，并且含有Ge，第二半导体层，其形成在上述第一半导体层上，并且以比上述第一半导体层的Ge含有率低的含有率含有Ge，第三半导体层，其形成在上述第二半导体层上，并且含有Ge；上述第三半导体层的Ge含有率比上述第二半导体层的Ge含有率高。