用于高的氮化硅对氧化硅去除速率比率的抛光组合物及方法

摘要

本发明提供一种化学-机械抛光组合物，包括阳离子磨料、阳离子聚合物、羧酸和水。本发明还提供使用上述抛光组合物化学-机械抛光基底的方法。所述抛光组合物显示出氮化硅去除对氧化硅去除的选择性。

主权项

一种抛光包含氮化硅和氧化硅的基底的化学‑机械抛光组合物，包括：(a)阳离子磨料，(b)选自以下的阳离子聚合物：(1)0.1ppm‑50ppm的阳离子均聚物，所述阳离子均聚物选自：聚乙烯亚胺、乙氧基化聚乙烯亚胺、聚二烯丙基二甲基卤化铵、聚(酰氨基胺)、聚(甲基丙烯酰氧乙基三甲基铵)氯化物、聚(甲基丙烯酰氧乙基二甲基苄基铵)氯化物、聚(乙烯基吡咯烷酮)、聚(乙烯基咪唑)、聚(乙烯基吡啶)、聚(乙烯基胺)以及聚氯化铝；(2)0.1ppm‑50ppm的阳离子共聚物，该阳离子共聚物包含至少一种阳离子单体和至少一种非离子单体，其中所述至少一种阳离子单体以摩尔计占阳离子共聚物的超过50％，且该阳离子单体选自：二烯丙基二甲基卤化铵、甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵、甲基丙烯酰氧乙基二甲基苄基氯化铵、2‑氨基乙基甲基丙烯酸酯、N‑(3‑氨基丙基)甲基丙烯酸酯、乙烯基咪唑、乙烯基吡啶、乙烯基胺、酰氨基胺和氮丙环；和(3)0.1ppm‑200ppm的阳离子共聚物，该阳离子共聚物包括至少一种阳离子单体和至少一种非离子单体，其中所述至少一种阳离子单体以摩尔计占共聚物的50％或更少，且该阳离子单体选自：二烯丙基二甲基卤化铵、甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵、甲基丙烯酰氧乙基二甲基苄基氯化铵、2‑氨基乙基甲基丙烯酸酯、N‑(3‑氨基丙基)甲基丙烯酸酯、乙烯基咪唑、乙烯基吡啶、乙烯基胺、酰氨基胺和氮丙环；以及(c)水，其中所述抛光组合物的pH值为7或更少。