等离子体系统

摘要

用于等离子体增强化学沉积(PECVD)的系统和技术，其中，可能处理管状基板的选择表面，以沉积期望物质的薄膜，其中，在等离子体系统中使用的电极之一适应基板或工件，不需要庞大的等离子体反应器。

主权项

一种用于等离子体增强化学气相沉积的等离子体系统，所述系统包括：真空室，至少两个电极，基板，以及待电离的物质，用于沉积在所述基板的至少一个期望表面上，其中，所述基板包括具有两端的管状工件，所述两端中的至少一端是开放端，所述开放端由可去除端帽以由所述工件和所述帽限定所述真空室的方式封闭，并且其中，所述工件限定所述电极中的一个电极，所述电极中的另一个电极延伸穿过所述端帽并进入所述工件中，并且所述基板的至少一个期望表面由所述管状工件的内表面限定，其中，所述至少两个电极包括由所述管状工件形成的外围电极和由所述另一个电极形成的中心电极，其中，所述中心电极包括具有与所述真空室流体连通的多个管道的管状电极，其中，所述管状电极的多个管道包括至少一个用于引导工艺气体进入所述真空室中的气体管道、至少一个用于引导前体物质进入所述真空室中的前体管道、以及至少一个用于在所述真空室中产生真空的真空管道，其特征在于，每个所述气体管道和所述前体管道均设置有进入所述真空室中的多个扩散喷嘴，并且所述真空管道设置有至少一个通向所述真空室中的抽吸端口。