用于通过减少自对准硅化物界面电阻改善晶体管性能的方法

摘要

本发明的实施例通过使用用于源极和漏极区的硅锗合金以及镍硅锗自对准硅化物(即，自对准硅化物)层以形成源极区和漏极区的接触表面来减小晶体管的外电阻。基于硅锗和硅化物之间减少的金属半导体功函数数以及与硅相比硅锗中增加的载流子迁移率，硅锗和镍硅锗硅化物的界面具有较低的比接触电阻。可对硅锗进行掺杂以进一步调节其电属性。晶体管的外电阻的减小等同于在切换速度和功耗两方面提高晶体管性能。

主权项

一种晶体管，包括：栅极区；所述栅极区下的绝缘体区；邻近于所述绝缘体区的源极区；邻近于所述绝缘体区的漏极区；压缩的硅沟道区，其位于所述源极区和所述漏极区之间并在所述绝缘体区之下，其中所述源极区和漏极区包括硅锗合金和镍硅锗硅化物层。