| 发明名称 | 用于热处理硅晶圆的低温测温方法和装置 | ||
| 摘要 | 快速热处理(RTP)系统(110)包括监控由硅晶圆(32)对来自处于较低功率级RTP灯(46)的辐射的吸收而决定的温度的透射高温计(12)。建立涉及对应于晶圆和辐射灯温度的光电检测器的光电流的非标准化值的查找表。校准步骤(170)通过已知的晶圆和灯温度测量光电流并且因此标准化其后测量的所有光电流(142)。透射高温计可用于对低于500℃的热处理执行闭环控制或者用于包括闭环控制的辐射高温计的较高温度工艺的预加热阶段。通过测量初始上升速率并相应重新调整灯功率控制预加热温度上升速率。在具有光束分离器(204)的集成结构中可以包括透射高温计和辐射高温计，其中所述光束分离器划分来自晶圆的辐射。 | ||
| 申请公布号 | CN101128716B | 申请公布日期 | 2012.09.05 |
| 申请号 | CN200580036894.9 | 申请日期 | 2005.10.05 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 亚伦·缪尔·亨特;巴拉苏布若门尼·拉马钱德伦;科琳娜·埃琳娜·塔纳瑟;拉杰士·S·罗摩努亚姆;塔彭恩·T·迪克西特 |
| 分类号 | F27D11/00(2006.01)I | 主分类号 | F27D11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;梁挥 |
| 主权项 | 一种热处理系统，所述热处理系统包括：可控的辐射热源；支撑组件，该支撑组件配置用于支撑位于其上并与所述辐射热源相对的硅衬底；至少一个透射高温计，所述至少一个透射高温计设置在所述支撑组件的相对侧，同时所述硅衬底支撑于所述至少一个透射高温计上部并且所述透射高温计用于检测来自所述辐射热源通过所述硅衬底过滤后的辐射以及用于测量低于500℃的所述硅衬底的温度；以及电源控制系统，所述电源控制系统响应于所述至少一个透射高温计的输出，控制分配给所述辐射热源的能量。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||