NAND架构存储器装置及操作

摘要

当与传统NAND存储器阵列架构相比时，使用经修改的NAND架构的非易失性存储器装置可促进存储器密度的提高、制作步骤的减少及读取操作的加快，在所述经修改的NAND架构中存储器单元的NAND串的各端选择性地耦合到不同位线。可采用与传统NAND存储器阵列相同的方式来完成对所述存储器单元的编程及擦除。然而，可使用类似于DRAM装置中的读取操作的电荷共享技术来完成对所述存储器单元的读取。

主权项

一种NAND存储器阵列，其包含：至少两个位线；及至少两个串联耦合的非易失性存储器单元串；其中第一串联耦合的非易失性存储器单元串的第一端选择性地耦合到第一位线且没有存储器单元介于所述第一串联耦合的非易失性存储器单元串的所述第一端与所述第一位线之间；其中所述第一串联耦合的非易失性存储器单元串的第二端选择性地耦合到第二位线且没有存储器单元介于所述第一串联耦合的非易失性存储器单元串的所述第二端与所述第二位线之间；其中第二串联耦合的非易失性存储器单元串的第一端选择性地耦合到所述第二位线且没有存储器单元介于所述第二串联耦合的非易失性存储器单元串的所述第一端与所述第二位线之间；且其中所述第一串联耦合的非易失性存储器单元串的所述第一端和所述第二串联耦合的非易失性存储器单元串的所述第一端，响应于单个控制信号，选择性地分别耦合到所述第一位线和所述第二位线。