| 发明名称 | 修复离子注入损伤的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种修复离子注入损伤的方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，对所述半导体衬底实施离子注入工艺；在氢气的氛围中对所述半导体衬底进行热处理工艺，以修复离子注入损伤；对所述半导体衬底进行金属化处理；在所述半导体衬底上方形成金属连线。所述方法能够修复离子注入对半导体衬底表面的晶格损伤，从而在后续金属化处理过程中，有效防止沉积的金属进入所述半导体衬底内部，从而减小漏电流、避免造成器件穿通的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102655088A | 申请公布日期 | 2012.09.05 |
| 申请号 | CN201110051920.2 | 申请日期 | 2011.03.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 胡巍强;徐宽 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种修复离子注入损伤的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，并对所述半导体衬底进行离子注入工艺，以在所述半导体衬底中形成源区和漏区；在氢气的氛围中对所述半导体衬底进行热处理工艺，以修复所述离子注入工艺导致的所述半导体衬底表面的晶格损伤；对所述源区和漏区表面进行金属化处理；在所述源区和漏区上方形成金属连线。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||