薄膜形成方法和用于形成含硅绝缘膜的装置

摘要

本发明提供一种薄膜形成方法和用于形成含硅绝缘膜的装置。在可选择性地供给包含二异丙基氨基硅烷气体的第一处理气体和包含氧化气体或氮化气体的第二处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成含硅绝缘膜。为此，重复进行多次交替地包括第一工序和第二工序的循环。第一工序进行第一处理气体的供给，在被处理基板的表面形成含硅吸附层。第二工序进行第二处理气体的供给，氧化或氮化在被处理基板表面上的吸附层。第二工序包括在已利用激励机构将第二处理气体激励的状态下供向处理区域的激励期间。

主权项

一种半导体处理用的成膜方法，其在可选择性地供给包含二异丙基氨基硅烷气体的第一处理气体和包含氧化气体或氮化气体的第二处理气体的处理区域内，通过化学气相沉积在被处理基板上形成含硅绝缘膜，所述半导体处理用的成膜方法的特征在于：重复进行多次交替地包括第一工序和第二工序的循环，层叠在每个所述循环中形成的薄膜，由此形成具有规定厚度的所述含硅绝缘膜，其中，所述第一工序，对所述处理区域进行所述第一处理气体的供给，另一方面，维持不向所述处理区域供给所述第二处理气体，在所述被处理基板的表面形成含硅吸附层，所述第二工序，对所述处理区域进行所述第二处理气体的供给，另一方面，维持不向所述处理区域供给所述第一处理气体，氧化或氮化所述被处理基板表面上的所述吸附层，在所述第二工序中，将所述第二处理气体在已利用激励机构激励的状态下供向所述处理区域。