| 发明名称 | 具有垂直结构的发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种具有垂直结构的发光器件及其制造方法，该发光器件能够实现泄漏光效率的增强。该发光器件包括具有第一表面和第二表面的半导体层，布置在半导体层的第一表面上的第一电极，布置在半导体层的第二表面上的透明导电氧化物层，和布置在透明导电氧化物层上的第二电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101026215B | 申请公布日期 | 2012.09.05 |
| 申请号 | CN200710084111.5 | 申请日期 | 2007.02.16 |
| 申请人 | LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 张峻豪;河俊硕 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 谷惠敏;钟强 |
| 主权项 | 一种具有垂直结构的发光器件，包括：具有第一表面和第二表面的半导体结构；布置在所述半导体结构的所述第一表面上的第一电极；布置在所述半导体结构的所述第二表面上的透明导电氧化物层；布置在所述半导体结构和所述透明导电氧化物层之间的吸气金属层；和布置在所述透明导电氧化物层上的第二电极。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||