包括电容器和双层金属接触的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种包括电容器和双层金属接触的半导体器件及其制造方法。该方法包括：形成外围电路的外围晶体管的栅极；在第一层间绝缘层形成第一接触和第一外围电路布线层图案；形成第二接触和第二外围电路布线层图案；选择去除第二层间绝缘层在单元区域中的部分；形成覆盖第二外围电路布线层图案的模型层；形成贯通该模型层的存储节点；去除该模型层；形成覆盖存储节点的电介质层和板节点；形成第三层间绝缘层；以及形成贯通第三层间绝缘层的第三接触。

主权项

一种制造包括电容器和双层金属接触的半导体器件的方法，所述方法包括：在单元区域和外围区域形成第二层间绝缘层；形成贯通所述第二层间绝缘层在所述外围区域上的部分的第二接触；选择性去除所述第二层间绝缘层在所述单元区域上的部分，并保留所述第二层间绝缘层在所述外围区域上的部分；形成模型层，该模型层覆盖所述单元区域的被去除所述第二层间绝缘层的部分以及所述第二接触；形成贯通所述模型层在所述单元区域中的部分的存储节点；选择性去除所述模型层以暴露所述存储节点；形成覆盖被暴露的所述存储节点的电介质层和板节点；形成覆盖所述板节点的第三层间绝缘层；以及形成贯通所述第三层间绝缘层的第三接触，以分别连接到所述板节点和所述第二接触。