半导体装置的制造方法

摘要

本发明使由阻挡金属膜和铝电极膜构成的层叠电极的前端区域为单层的阻挡金属电极，用剥离法形成在并列的阻挡金属电极间电连接的电阻器。从而提供在形成带有膜厚较薄的电阻器的电阻元件时针对电阻器的断线而言较强的电阻元件。

主权项

一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具有电阻器，其特征在于，所述半导体装置的制造方法包括：在半导体衬底上的绝缘膜上形成阻挡金属膜和铝金属膜的工序；构图所述阻挡金属膜和铝金属膜而形成并列的2个铝电极的工序；选择性地去除所述铝电极的一部分区域的铝金属膜而形成阻挡金属电极的工序；以及以在隔开的2个阻挡金属电极之间电连接的方式形成电阻器的工序。