发明名称 |
薄膜体声波谐振器及制造方法,薄膜体声波谐振器滤波器、复合电子元器件、通讯设备 |
摘要 |
本发明旨在提供一种薄膜体声波谐振器(100),包括:压电薄膜(103)以及一对将压电薄膜插入在其中的电极(101,102);其特征在于:所述压电薄膜包括从由一对电极和压电薄膜所构成的谐振器部分的至少一部分向外延伸的外围区域(104),外围区域,在其至少部分区域中,包括用于阻尼声波的声阻尼区域(105),所述声阻尼区域包括在除声阻尼区域以外的压电薄膜的任何区域中都不存在的同类或不同类原子(29),并且,在压电薄膜中,声阻尼区域采用与不是声阻尼区域的任何区域相同的材料构成。 |
申请公布号 |
CN101340180B |
申请公布日期 |
2012.09.05 |
申请号 |
CN200810144271.9 |
申请日期 |
2004.09.10 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
大西庆治;中村弘幸;中冢宏;山川岳彦 |
分类号 |
H03H9/17(2006.01)I;H03H9/02(2006.01)I;H03H3/02(2006.01)I;H03H9/56(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/17(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
钱慰民 |
主权项 |
一种薄膜体声波谐振器(100),它包括:压电薄膜(103);和,一对将压电薄膜插入在其中的电极(101,102);其特征在于:所述压电薄膜包括从由一对电极和压电薄膜所构成的谐振器部分的至少一部分向外延伸的外围区域(104),所述外围区域,在其至少部分区域中,包括用于阻尼声波的声阻尼区域(105),以及所述声阻尼区域包括在除声阻尼区域以外的压电薄膜的任何区域中都不存在的同类或不同类原子(29),并且,在所述压电薄膜中,所述声阻尼区域采用与不是所述声阻尼区域的任何区域相同的材料构成。 |
地址 |
日本国大阪府 |