半导体集成电路装置

摘要

本发明提供了一种半导体集成电路装置，其包括：具有由低杂质浓度区和高杂质浓度区形成的源/漏区的低压MOS晶体管；以及类似地具有由低杂质浓度区和高杂质浓度区形成的源/漏区的高压MOS晶体管，其中，低压NMOS晶体管的源/漏高杂质浓度区利用砷掺杂，而高压NMOS晶体管的源/漏高杂质浓度区利用磷掺杂。

主权项

一种半导体集成电路装置，包括：半导体衬底；设置在半导体衬底上的N沟道低压MOS晶体管，其具有第一栅绝缘膜、第一栅电极、以及第一源/漏区，该第一源/漏区由第一N型高杂质浓度区和用来减轻电场强度的第一N型低杂质浓度区形成；以及设置在半导体衬底上的N沟道高压MOS晶体管，其具有第二栅绝缘膜、第二栅电极、由设置成与第二栅绝缘膜分开的第二N型高杂质浓度区与用来减轻电场强度的设置在第二栅绝缘膜和第二N型高杂质浓度区之间的第二N型低杂质浓度区形成的第二源/漏区、以及在第二低杂质浓度区上形成的绝缘膜，该绝缘膜设置在第二栅绝缘膜和第二N型高杂质浓度区之间，而且该绝缘膜比第二栅绝缘膜厚，其中第一N型高杂质浓度区被掺杂了第一杂质，而第二N型高杂质浓度区被掺杂了比第一杂质具有更大的扩散系数的第二杂质。