具有高可靠性的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有高可靠性的半导体器件及其制造方法。提供一种半导体器件，其包括衬底、在衬底上形成的绝缘体膜以及具有不同宽度的多个金属布线，所述多个金属布线包含作为主要成分的铜和与铜不同的杂质。多个金属布线包括第一金属布线和第二金属布线，该第一金属布线具有杂质金属浓度从堆叠方向的中心部分向表面增加的浓度分布，该第二布线金属具有杂质金属浓度从堆叠方向的底部表面向表面降低的浓度分布。此外，第二金属布线的宽度可大于第一金属布线的宽度。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；绝缘体膜，形成在所述衬底之上；形成在所述绝缘体膜中的具有不同宽度的多个金属布线，所述多个金属布线包含铜作为主要成分，并且包含与铜不同的杂质金属，其中，所述多个金属布线包括：第一金属布线，所述第一金属布线具有其中所述杂质金属的浓度从堆叠方向的中心部分向表面增加的浓度分布；以及第二金属布线，所述第二金属布线具有其中所述杂质金属的浓度从所述堆叠方向的底部表面向表面降低的浓度分布。