超级结MOS管的纵向区的制造方法

摘要

本发明公开了一种超级结MOS管的纵向区的制造方法，将超级结MOS管的纵向区分为两部分，先采用一次或多次外延生长+离子注入工艺制造一部分高度的纵向区，再采用外延生长+沟槽刻蚀+外延淀积填充工艺制造剩余部分高度的纵向区，最终形成完整高度的纵向区。在此基础上制造多晶硅栅结构、体注入、源注入最终形成超级结MOS管器件。本发明具有较高的工艺效率，且纵向区中不会存在空洞。

主权项

一种超级结MOS管的纵向区的制造方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，采用外延工艺，在硅衬底上生长一层外延层；第2步，采用光刻工艺，在外延层上定义出离子注入窗口，离子注入窗口的位置就是超级结MOS管的纵向区的位置；第3步，采用离子注入工艺，在离子注入窗口中注入杂质，形成纵向区；重复上述第1‑3步，直至外延层达到厚度a’，此时形成的外延层总和为第一外延层，形成的纵向区总和为第一纵向区；第一纵向区的底部在外延层下表面或更上方；第4步，采用外延工艺，在硅衬底上生长一层第二外延层，第二外延层的厚度为b，a’+b为超级结MOS管器件要求的外延层的厚度；第5步，采用光刻和刻蚀工艺，在第二外延层中刻蚀出沟槽，沟槽的位置就是纵向区的位置，沟槽的底部在第一纵向区上表面或更下方；第6步，在沟槽中采用外延工艺淀积单晶硅，将沟槽填充，形成第二纵向区，第二纵向区与第5步刻蚀沟槽后剩余的第一纵向区的总高度为超级结MOS管器件要求的纵向区的高度。