| 发明名称 | 存储装置、其制造方法与操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种存储装置、其制造方法与操作方法。存储装置包括基底、堆叠结构、沟道元件、介电元件、源极元件与位线。堆叠结构配置于基底上。堆叠结构各包括串列选择线、字线、接地选择线与绝缘线。串列选择线、字线与接地选择线通过绝缘线互相分开。沟道元件配置于堆叠结构之间。介电元件配置于沟道元件与堆叠结构之间。源极元件配置于基底的上表面与沟道元件的下表面之间。位线配置于沟道元件的上表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN102655152A | 申请公布日期 | 2012.09.05 |
| 申请号 | CN201110053420.2 | 申请日期 | 2011.03.04 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吕函庭;陈士弘 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种存储装置，包括：基底；多个堆叠结构，配置于该基底上，其中该多个堆叠结构各包括串列选择线、字线、接地选择线与绝缘线，该串列选择线、该字线与该接地选择线通过该绝缘线互相分开；沟道元件，配置于该多个堆叠结构之间；介电元件，配置于该沟道元件与该堆叠结构之间；源极元件，配置于该基底的上表面与该沟道元件的下表面之间；以及位线，配置于该沟道元件的上表面上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||