非易失性存储器件的页缓冲器和编程方法

摘要

本发明提供了一种页缓冲器，一种非易失性存储器件的编程方法以及一种非易失性存储器件的多级单元编程方法。页缓冲器包括第一寄存器、第二寄存器以及数据I/O单元。第一寄存器暂时存储待编程到第一存储单元块组中包括的单元中的数据，或者读取和存储对应存储单元的数据。第二寄存器暂时存储待编程到第二存储单元块组中包括的单元中的数据，或者读取和存储对应存储单元的数据。数据I/O单元将特定数据输入到第一寄存器和第二寄存器，或者输出第一寄存器和第二寄存器中存储的数据。

主权项

一种页缓冲器，包括：第一寄存器，用于暂时存储待编程到第一存储单元块组中包括的单元中的数据，以及读取和存储对应存储单元的数据；第二寄存器，用于暂时存储待编程到第二存储单元块组中包括的单元中的数据，以及读取和存储对应存储单元的数据；数据I/O单元，用于将数据输入到所述第一寄存器和所述第二寄存器，以及输出所述第一寄存器和所述第二寄存器中存储的数据；以及寄存器间数据传送单元，用于根据所述第二寄存器中存储的所述数据的电平，将地电压施加到所述第一寄存器。