半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，即使使用ZnO半导体膜，并且对于源电极和漏电极使用其中添加n型或p型杂质的ZnO膜也不会产生缺陷或故障。该半导体器件包含：通过使用氧化硅膜或氧氮化硅膜在栅电极之上形成的栅绝缘膜、在栅绝缘膜之上的Al膜或Al合金膜、在Al膜或Al合金膜之上的其中添加n型或p型杂质的ZnO膜、以及在其中添加n型或p型杂质的ZnO膜和栅绝缘膜之上的ZnO半导体膜。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底之上形成栅电极；在所述栅电极之上形成第一绝缘膜；形成一对第一导电层，每个第一导电层包含金属膜；在所述一对第一导电层上形成一对第二导电层，所述一对第二导电层中的每一个包含氧化锌；在所述一对第二导电层和所述栅电极之上形成岛状氧化物半导体膜，其中所述第一绝缘膜置于所述栅电极与所述岛状氧化物半导体膜之间；以及通过溅射在所述岛状氧化物半导体膜之上形成含硅绝缘膜，所述含硅绝缘膜与所述岛状氧化物半导体膜接触。