一种不挥发信息存储单元

摘要

本发明公开了信息存储技术领域中的一种不挥发信息存储单元。该单元包括一种衬底材料，在衬底上制备一种金属材料作为下电极，铁电材料制备在下电极金属上，在铁电材料上制备有氧化物半导体材料，在半导体材料上制备有接触电极并形成源漏区域。该结构中制备在金属电极上的铁电材料结晶温度低并且极化特性好，氧化物半导体在铁电材料上制备可以避免铁电材料的高温结晶过程对半导体特性的影响。本发明中器件的制备工艺简单，可以降低成本，易于实现产业化。

主权项

一种不挥发信息存储单元，其特征是所述不挥发信息存储单元包括一层金属材料制备在衬底上作为下电极，一层铁电材料制备在下电极上，在铁电材料上制备出一层氧化物半导体，两个上电极区制备在氧化物半导体上并形成源漏区；所述下电极至少含有铂、铱、钌、氧化铱或氧化钌中的一种材料；所述氧化物半导体材料含有氧化锌、掺杂铝的氧化锌、氧化锡、氧化镍或氧化钴的一种材料；所述源漏区为两个相互分离的电极。