发明名称 RI 制造装置
摘要 本发明提供一种RI制造装置,其能够在维修配置于自屏蔽体内的设备时,降低被放射化的靶辐射的危险,并能够缩短用于衰减放射线的待机时间。一种RI制造装置(1),其具有加速带电粒子的加速器(2)、被照射带电粒子束的靶(3)及包围这些加速器(2)及靶(3)来屏蔽放射线的自屏蔽体(6),其结构设为具备在自屏蔽体(6)与加速器(2)之间包围靶(3)来屏蔽放射线的靶屏蔽体(7、8)。即使在开放自屏蔽体(6)的情况下,来自靶(3)的放射线也会被靶屏蔽体(7、8)屏蔽,因此在维修靶(3)以外的设备时,不用等待放射线衰减也能够进行操作。
申请公布号 CN102655029A 申请公布日期 2012.09.05
申请号 CN201210053170.7 申请日期 2012.03.02
申请人 住友重机械工业株式会社 发明人 田中秀树
分类号 G21G1/10(2006.01)I;G21K5/00(2006.01)I;G21F3/00(2006.01)I 主分类号 G21G1/10(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 胡建新
主权项 一种放射性同位素制造装置,其特征在于,具备:加速带电粒子的加速器;照射由所述加速器加速的所述带电粒子来制造放射性同位素的靶;作为包围所述加速器及所述靶来屏蔽放射线的壁体的自屏蔽体;及配置于所述自屏蔽体与所述加速器之间,作为包围所述靶来屏蔽放射线的壁体的靶屏蔽体。
地址 日本东京都