大功率高频电磁阻垢水处理控制系统及其控制方法

摘要

本发明公开了一种大功率高频电磁阻垢水处理控制系统及其控制方法，其系统装置包括水处理腔和信号发生器，其特征在于：信号发生器由信号发生电路和功率放大电路组成，在信号发生电路中设置有微控制器，在微控制器上连接有温度/流速检测器、电导率/PH检测器、键盘、LCD显示器以及数字频率合成器，其系统的控制方法采用了三种控制模式：自动频率调整模式、手动频率设定模式以及频率循环扫描模式，其显著效果是：结构简单，效果良好，输出高频信号的频率和功率都可以根据具体的应用情况进行调节，信号频率既能通过手工设定，又能通过系统自动检测而获取，还能采取扫频方式进行输出，扩大了系统的应用环境，不会产生二次污染。

主权项

一种大功率高频电磁阻垢水处理控制系统，包括一个设置有阳极（61）和阴极（62）的水处理腔（6）以及为所述水处理腔（6）提供高频信号的信号发生器；其特征在于：所述信号发生器由信号发生电路和功率放大电路（5）组成，在信号发生电路中设置有微控制器（9），该微控制器（9）上连接有温度/流速检测器（1）、电导率/ pH检测器（7）、键盘（8）、LCD显示器（2）以及数字频率合成器（4），所述微控制器（9）接收所述温度/流速检测器（1）和电导率/ pH检测器（7）检测的数据以及键盘（8）输入的数据，控制所述数字频率合成器（4）输出的高频信号的频率；所述数字频率合成器（4）上连接有有源晶振（10），该数字频率合成器（4）输出的高频信号经所述功率放大电路（5）放大后加载到所述水处理腔（6）的阳极（61）和阴极（62）上；所述 LCD显示器（2）用于显示所述温度/流速检测器（1）和电导率/ pH检测器（7）所检测的数据以及键盘（8）所输入的数据； 所述功率放大电路（5）由MOSFET驱动电路、全桥功率放大电路以及可调直流电源VCC组成，其中MOSFET驱动电路中设置有光耦芯片（U1）和MOSFET驱动芯片（U2），所述数字频率合成器（4）的高频信号输出端(J1)与所述光耦芯片（U1）的输入端连接，该光耦芯片（U1）的输出端连接在所述MOSFET驱动芯片（U2）的输入端上，该MOSFET驱动芯片（U2）的输出端与第一二极管（D1）的正极连接，该第一二极管（D1）的负极与第一MOS管（Q1）的栅极连接，该第一MOS管（Q1）的源极与第三二极管（D3）的正极连接，该第一MOS管（Q1）的漏极与直流电源（+15）连接，所述第三二极管（D3）的负极连接第四二极管（D4）的正极，该第四二极管（D4）的负极连接第二MOS管（Q2）的漏极，该第二MOS管（Q2）的源极接地，该第二MOS管（Q2）的栅极连接第二二极管（D2）的正极，该第二二极管（D2）的负极连接所述第一二极管（D1）的正极；所述第一二极管（D1）的负极还与第二电阻（R2）的一端连接，该第二电阻（R2）串联第三电阻（R3）后与所述第二MOS管（Q2）的栅极连接；所述第一MOS管（Q1）的源极还与第四电阻（R4）的一端连接，该第四电阻（R4）的另一端串联第五电阻（R5）后与所述第二MOS管（Q2）的漏极连接；所述第三二极管（D3）的负极还经第七电阻（R7）接地，在第三二极管（D3）的负极上还与第六电阻（R6）的一端连接，该第六电阻（R6）的另一端驱动所述全桥功率放大电路中的开关管；所述可调直流电源VCC加载到所述全桥功率放大电路中的开关管上，用于改变系统的输出功率。