半导体工艺及可堆栈式半导体封装结构

摘要

本发明关于一种半导体工艺，其包括以下步骤：(1)形成一第一导电材料于一基板的一上表面，以形成数个第一导电凸块；(2)电性连接一半导体组件至该基板的上表面；(3)形成一封胶材料，以形成一封胶结构，该封胶结构覆盖这些第一导电凸块及该半导体组件，这些第一导电凸块的顶端凹陷于该封胶结构的一上表面之下；(4)形成数个邻接于该封胶结构的上表面的开口，这些开口显露这些第一导电凸块的顶端；(5)形成一第二导电材料于这些开口中，以形成数个第二导电凸块；及(6)形成数条切割狭缝，这些切割狭缝延伸通过该封胶结构及该基板。

主权项

一种半导体工艺，包括：提供一基板，该基板包括一上表面及数个焊垫，这些焊垫邻接于该基板的上表面；形成一第一导电材料于该基板的上表面，以形成数个第一导电凸块，这些第一导电凸块邻接于相对应的这些焊垫；电性连接一半导体组件至该基板的上表面；形成一封胶材料于该基板的上表面，以形成一封胶结构，该封胶结构覆盖这些第一导电凸块及该半导体组件，该封胶结构包括一上表面，这些第一导电凸块的顶端凹陷于该封胶结构的上表面之下；形成数个邻接于该封胶结构的上表面的开口，这些开口显露这些第一导电凸块的顶端；形成一第二导电材料于这些开口中，且于该第一导电凸块的顶端上，以形成数个第二导电凸块；及形成数条切割狭缝，这些切割狭缝延伸通过该封胶结构及该基板；其中这些开口定义出这些第一导电凸块的覆盖部分及未覆盖部分，至少一开口具有一中心深度及一周围深度，该中心深度对应该封胶结构的上表面及相对应的一第一导电凸块的一顶端之间的一距离，该周围深度对应该封胶结构的上表面及相对应的该第一导电凸块的一覆盖部分及一非覆盖部分间的一边界之间的一距离，该周围深度大于该中心深度。