发明名称 |
HEMT器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供了HEMT器件以及用于制造HEMT器件的方法。根据本发明的一个方面,提供了一种HEMT器件,包括:在衬底上的缓冲层;在上述缓冲层上的半导体层;在上述半导体层上的隔离层;与上述半导体层接触的源极和漏极;以及在上述源极和漏极之间的栅极;其中,在上述栅极下方的上述半导体层中的沟道被夹断。 |
申请公布号 |
CN101604704B |
申请公布日期 |
2012.09.05 |
申请号 |
CN200810110136.2 |
申请日期 |
2008.06.13 |
申请人 |
西安能讯微电子有限公司 |
发明人 |
张乃千 |
分类号 |
H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/778(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
李峥;刘瑞东 |
主权项 |
一种增强型HEMT器件,包括:在衬底上的包括AlGaN的缓冲层;在上述缓冲层上的包括GaN的半导体层;在上述半导体层上的隔离层,上述隔离层为双层结构,上述隔离层的下层包括AlGaN,上述隔离层的上层包括AlGaN,上述隔离层的上层的Al组分大于上述隔离层的下层的Al组分;与上述半导体层接触的源极和漏极;以及在上述源极和漏极之间的栅极;其中,在上述栅极下方的上述半导体层中的沟道被夹断。 |
地址 |
710075 陕西省西安市高新区高新一路25号创新大厦N701 |