发明名称 HEMT器件及其制造方法
摘要 本发明提供了HEMT器件以及用于制造HEMT器件的方法。根据本发明的一个方面,提供了一种HEMT器件,包括:在衬底上的缓冲层;在上述缓冲层上的半导体层;在上述半导体层上的隔离层;与上述半导体层接触的源极和漏极;以及在上述源极和漏极之间的栅极;其中,在上述栅极下方的上述半导体层中的沟道被夹断。
申请公布号 CN101604704B 申请公布日期 2012.09.05
申请号 CN200810110136.2 申请日期 2008.06.13
申请人 西安能讯微电子有限公司 发明人 张乃千
分类号 H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 主分类号 H01L29/778(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 李峥;刘瑞东
主权项 一种增强型HEMT器件,包括:在衬底上的包括AlGaN的缓冲层;在上述缓冲层上的包括GaN的半导体层;在上述半导体层上的隔离层,上述隔离层为双层结构,上述隔离层的下层包括AlGaN,上述隔离层的上层包括AlGaN,上述隔离层的上层的Al组分大于上述隔离层的下层的Al组分;与上述半导体层接触的源极和漏极;以及在上述源极和漏极之间的栅极;其中,在上述栅极下方的上述半导体层中的沟道被夹断。
地址 710075 陕西省西安市高新区高新一路25号创新大厦N701