发明名称 |
一种自供电低功耗集成电路芯片及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于集成电路技术领域,具体公开了一种自供电低功耗集成电路芯片及其制备方法。该集成电路芯片包括一个半导体衬底以及在衬底上的低功耗集成电路和太阳能电池。所述的低功耗集成电路包含隧穿场效应晶体管。该低功耗集成电路和太阳能电池在同一个半导体衬底上同时形成。形成该太阳能电池的工艺可以和形成该低功耗集成电路的工艺兼容。该低功耗集成电路可以由该太阳能电池供电,从而形成自供电的低功耗集成电路。 |
申请公布号 |
CN101777565B |
申请公布日期 |
2012.09.05 |
申请号 |
CN200910247550.2 |
申请日期 |
2009.12.30 |
申请人 |
复旦大学 |
发明人 |
吴东平;张世理;娄浩涣;王鹏飞;张卫 |
分类号 |
H01L27/142(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/142(2006.01)I |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 31200 |
代理人 |
陆飞;盛志范 |
主权项 |
一种自供电低功耗集成电路芯片,其特征在于,该芯片包括一个半导体衬底以及在该衬底上的低功耗集成电路和太阳能电池;所述的低功耗集成电路由所述的太阳能电池进行供电;所述的低功耗集成电路包含隧穿场效应晶体管;所述的太阳能电池包括第一电极层、第二电极层、置于第一电极层和第二电极层之间的栅极结构、和置于第二电极层和栅极结构之间的半导体衬底,其中第一电极层具有丝网状的结构,并且其中由于从第一电极层侧入射的光而产生光电动势。 |
地址 |
200433 上海市邯郸路220号 |