发明名称 具有低功耗的自刷新半导体集成电路
摘要 动态随机存取存储器具有逻辑相同的电路,来提供相同的逻辑控制信号。每一组控制信号可以具有不同的电参数。一个电路可以为高速运行而优化,同时另一个电路可以为低功耗而优化。逻辑相同的电路可以包括字线地址预解码电路,其中,在正常操作模式中启用高速预解码电路,并且启用较低速低功耗预解码电路以用于自刷新操作。在自刷新操作期间,高速电路可以从电源解耦合以最小化其电流泄漏。
申请公布号 CN101317232B 申请公布日期 2012.09.05
申请号 CN200680044743.2 申请日期 2006.11.30
申请人 莫塞德技术公司 发明人 吴学俊
分类号 G11C11/4063(2006.01)I;G11C11/4074(2006.01)I;G11C11/4093(2006.01)I 主分类号 G11C11/4063(2006.01)I
代理机构 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人 王勇
主权项 一种用于动态随机存取存储器的基于模式的逻辑电路,包括:第一电路,用于在正常操作模式中产生第一地址;和第二电路,所述第二电路与所述第一电路在逻辑上相同,用于在休眠操作模式中产生和所述第一地址逻辑相同的第二地址,所述第二电路的功耗小于所述第一电路;以及选择器,用于接收所述第一地址和所述第二地址,所述选择器在所述正常操作模式中传送所述第一地址,并且在所述休眠操作模式中传送所述第二地址。
地址 加拿大安大略省