发明名称 |
具有低功耗的自刷新半导体集成电路 |
摘要 |
动态随机存取存储器具有逻辑相同的电路,来提供相同的逻辑控制信号。每一组控制信号可以具有不同的电参数。一个电路可以为高速运行而优化,同时另一个电路可以为低功耗而优化。逻辑相同的电路可以包括字线地址预解码电路,其中,在正常操作模式中启用高速预解码电路,并且启用较低速低功耗预解码电路以用于自刷新操作。在自刷新操作期间,高速电路可以从电源解耦合以最小化其电流泄漏。 |
申请公布号 |
CN101317232B |
申请公布日期 |
2012.09.05 |
申请号 |
CN200680044743.2 |
申请日期 |
2006.11.30 |
申请人 |
莫塞德技术公司 |
发明人 |
吴学俊 |
分类号 |
G11C11/4063(2006.01)I;G11C11/4074(2006.01)I;G11C11/4093(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/4063(2006.01)I |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 |
代理人 |
王勇 |
主权项 |
一种用于动态随机存取存储器的基于模式的逻辑电路,包括:第一电路,用于在正常操作模式中产生第一地址;和第二电路,所述第二电路与所述第一电路在逻辑上相同,用于在休眠操作模式中产生和所述第一地址逻辑相同的第二地址,所述第二电路的功耗小于所述第一电路;以及选择器,用于接收所述第一地址和所述第二地址,所述选择器在所述正常操作模式中传送所述第一地址,并且在所述休眠操作模式中传送所述第二地址。 |
地址 |
加拿大安大略省 |