基于衬底刻蚀后图形对本层光刻图形进行修正的方法

摘要

本发明公开了一种基于衬底刻蚀后图形对本层光刻图形进行修正的方法，在衬底刻蚀工艺流程已被优化和固定的前提下，对满足衬底刻蚀图形设计规则的掩膜板进行曝光并完成刻蚀；对衬底刻蚀后的特征测试图形进行数据收集，分析，确定当前层光刻实际所需的目标关键尺寸；对满足当前层设计规则的掩膜板，在保证一定套刻精度的前提下进行曝光并完成刻蚀，对当前层刻蚀后的特征测试图形进行数据收集，分析；利用当前层一些特征测试图形收集，分析的结果，通过规则式光学临近修正标定当前层在不同结构中光刻的目标关键尺寸在满足当前层设计规则的掩膜板上的图形修正量。本发明能够根据衬底刻蚀后图形的CD来调整优化当前层光刻CD，满足相关的设计要求。

主权项

一种基于衬底刻蚀后图形对本层光刻图形进行修正的方法，其特征在于：需作图形修正的当前层其衬底为前层刻蚀图形且硅片表面不平坦化；需作图形修正的当前层与前层刻蚀图形存在包含和/或距离设计要求；包括如下步骤：在衬底刻蚀工艺流程已被优化和固定的前提下，对满足衬底刻蚀图形设计规则的掩膜板进行曝光并完成刻蚀；对衬底刻蚀后的特征测试图形进行数据收集，分析，确定当前层光刻实际所需的目标关键尺寸；所述“目标关键尺寸”是指当前层光刻图形在关键尺寸修正前根据前层的特征测试图形结果所预见的光刻关键尺寸；对满足当前层设计规则的掩膜板，在保证一定套刻精度的前提下进行曝光并完成刻蚀，对当前层刻蚀后的特征测试图形进行数据收集，分析；利用当前层一些特征测试图形收集，分析的结果，通过规则式光学临近修正标定当前层在不同结构中光刻的目标关键尺寸在满足当前层设计规则的掩膜板上的图形修正量。