| 发明名称 | 基于辐射剂量的成像探测器瓦片参数补偿 | ||
| 摘要 | 一种成像系统（100）的探测器瓦片（116）包括光传感器阵列（204）；以及电耦合至所述光传感器阵列（204）的电子装置（208），其中所述电子装置包括剂量确定器（402），所述剂量确定器确定所述探测器瓦片（116）的沉积剂量以及产生指示所述沉积剂量的信号。在一个非限制性的示例中，该信号用于校正诸如增益和热系数的、可能随着辐射剂量变化的参数。 | ||
| 申请公布号 | CN102656478A | 申请公布日期 | 2012.09.05 |
| 申请号 | CN201080057215.7 | 申请日期 | 2010.11.18 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | M·A·查波;R·P·卢赫塔;R·A·马特森 |
| 分类号 | G01T7/00(2006.01)I | 主分类号 | G01T7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 黄云铎;陈松涛 |
| 主权项 | 一种成像系统（100）的探测器瓦片（116），包括：光传感器阵列（204）；以及电耦合至所述光传感器阵列（204）的电子装置（208），所述电子装置包括：剂量确定器（402），所述剂量确定器确定所述探测器瓦片（116）的沉积剂量并且产生指示所述沉积剂量的信号。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||