发明名称 |
一种耐环境气体污染的表压测量硅传感器 |
摘要 |
一种耐环境气体污染的表压测量硅传感器,在硅信号发生器的负侧上端焊接密封一张可传递压力的参比腔耐腐蚀金属测量膜片,充入参比腔充灌液,形成参比腔体,环境气体的压力作为参比压力通过通气管道和参比腔体向硅信号发生器负侧传递;在硅信号发生器的正侧下端焊接密封一张可传递压力的正侧耐腐蚀金属测量膜片,充入正腔充灌液,形成正侧腔体,测量介质的压力通过正侧腔体向硅信号发生器正侧传递,这种硅传感器的设计方式在有污染气体环境下工作时,有效地隔绝了污染气体对硅信号发生器的污染和氧化,并实现了表压测量。 |
申请公布号 |
CN202420756U |
申请公布日期 |
2012.09.05 |
申请号 |
CN201220044150.9 |
申请日期 |
2012.02.10 |
申请人 |
上海洛丁森工业自动化设备有限公司 |
发明人 |
王徐坚;张曙;郝正宏;姚康;李俊毅 |
分类号 |
G01L19/06(2006.01)I |
主分类号 |
G01L19/06(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种耐环境气体污染的表压测量硅传感器,在硅信号发生器的负侧上端焊接密封一张可传递压力的参比腔耐腐蚀金属测量膜片,充入参比腔充灌液,形成参比腔体,同时,通气管道与参比腔体连通;在硅信号发生器的正侧下端焊接密封一张可传递压力的正侧耐腐蚀金属测量膜片,充入正腔充灌液,形成正侧腔体。 |
地址 |
201109 上海市闵行区园区北路315弄118号4幢422室 |