单一芯片推挽桥式磁场传感器

摘要

本实用新型设计了一种磁场传感器，特别是在MTJ元件周围设置永磁体的单一芯片推挽桥式磁场传感器。一种单一芯片推挽桥式磁场传感器，它包括多个桥式连接的磁电阻元件，每个磁电阻元件包括具有敏感方向的敏感元件，敏感元件为MTJ元件、AMR元件或GMR元件，所述每个磁电阻元件的两侧设置有用于对所述磁电阻元件的磁化方向进行偏置的一对永磁体。通过设置永磁体的方向，两个自由层的磁化方向的夹角可以被预设，其相对于同一敏感方向有不同的响应。本实用新型设计的推挽桥式磁场传感器可以在单一基片上一次性成膜制备。同时我们可以设置通电线圈预设置自由层磁化方向或对其进行校准。

主权项

单一芯片推挽桥式磁场传感器，它包括多个桥式连接的磁电阻元件，每个磁电阻元件包括具有敏感方向的敏感元件，敏感元件为MTJ元件、AMR元件或GMR元件，其特征在于：所述每个磁电阻元件的两侧设置有用于对所述磁电阻元件的磁化方向进行偏置的一对永磁体。