| 发明名称 | 集成在电子衬底中的通孔结构 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种安置于衬底中的通孔结构的系统。所述系统包括第一通孔结构，所述第一通孔结构包含安置于所述衬底中的外部导电层、内部绝缘层和内部导电层。所述外部导电层分离所述内部绝缘层与所述衬底，且所述内部绝缘层分离所述内部导电层与所述外部导电层。第一互补对的第一信号通过所述内部导电层，且所述第一互补对的第二信号通过所述外部导电层。在不同实施例中，提供一种在电子衬底中形成通孔结构的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102656687A | 申请公布日期 | 2012.09.05 |
| 申请号 | CN201080056739.4 | 申请日期 | 2010.12.14 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 李霞;赵伟;曹禺;顾时群;升·H·康;金明初 |
| 分类号 | H01L23/552(2006.01)I;H01L23/66(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I;H05K1/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/552(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种在衬底中的通孔结构的系统，所述系统包括第一通孔结构，所述第一通孔结构包含：外部导电层，其安置于所述衬底中；内部绝缘层，其安置于所述衬底中，所述外部导电层分离所述内部绝缘层与所述衬底；以及内部导电层，其安置于所述衬底中，所述内部绝缘层分离所述内部导电层与所述外部导电层；其中，第一互补对的第一信号通过所述内部导电层且所述第一互补对的第二信号通过所述外部导电层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||