| 发明名称 | 基于量子阱的半导体器件 | ||
| 摘要 | 描述基于量子阱的半导体器件以及形成基于量子阱的半导体器件的方法。一种方法包括提供布置在衬底之上并且包括量子阱沟道区的异质结构。该方法还包括在量子阱沟道区之上形成源和漏材料区。该方法还包括在源和漏材料区中形成沟槽，以便提供与漏区分离的源区。该方法还包括：在沟槽中在源区和漏区之间形成栅介电层；以及在沟槽中在栅介电层之上形成栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102656695A | 申请公布日期 | 2012.09.05 |
| 申请号 | CN201080051286.6 | 申请日期 | 2010.10.19 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | G.德维;R. S.曹;M.拉多萨夫耶维奇;M. V.梅茨;R.皮拉里塞蒂 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 柯广华;李家麟 |
| 主权项 | 一种形成基于量子阱的半导体器件的方法，所述方法包括：提供布置在衬底之上并且包括量子阱沟道区的异质结构；在所述量子阱沟道区之上形成源和漏材料区；在所述源和漏材料区中形成沟槽，以便提供与漏区分离的源区；在所述沟槽中在所述源区与漏区之间形成栅介电层；以及在所述沟槽中在所述栅介电层之上形成栅电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||