发明名称 |
在3C-SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法 |
摘要 |
本发明公开了在3C-SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法,主要解决现有技术制备的石墨烯层数不均匀,且制作器件时由于光刻工艺导致石墨烯电子迁移率降低的问题。本发明采用在Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡;然后在温度为1150℃-1300℃下进行3C-SiC薄膜异质外延生长,生长气源为C3H8和SiH4;再在3C-SiC样片表面淀积一层0.5-1μm厚的SiO2,并在SiO2上刻出结构化图形窗口;然后将裸露的3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应,生成双层碳膜;再在Ar气中温度为1000-1100℃下退火10-20min,在刻出的窗口位置生成双层结构化石墨烯。本发明具有双层结构化石墨烯表面光滑,孔隙率低的优点,可用于制作微电子器件。 |
申请公布号 |
CN102653885A |
申请公布日期 |
2012.09.05 |
申请号 |
CN201210158547.5 |
申请日期 |
2012.05.22 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
郭辉;张晨旭;张克基;张玉明;张凤祁;邓鹏飞;雷天民 |
分类号 |
C30B25/18(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I |
主分类号 |
C30B25/18(2006.01)I |
代理机构 |
陕西电子工业专利中心 61205 |
代理人 |
王品华;朱红星 |
主权项 |
一种在3C‑SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法,包括以下步骤:(1)对4‑12英寸的Si衬底基片进行标准清洗;(2)将清洗后的Si衬底基片放入CVD系统反应室中,对反应室抽真空达到10‑7mbar级别;(3)在H2保护的情况下,使反应室逐步升温至碳化温度950℃‑1150℃,通入流量为30ml/min的C3H8,对衬底进行碳化3‑7min,生长一层碳化层;(4)对反应室加温,使其迅速升温至生长温度1150℃‑1300℃,再通入C3H8和SiH4,进行3C‑SiC薄膜异质外延生长36‑60min,然后在H2保护下逐步降温至室温,完成3C‑SiC薄膜的生长;(5)在生长好的3C‑SiC样片表面利用等离子体增强化学气相沉积PECVD方法,淀积一层0.5‑1μm厚的SiO2,作为掩膜;(6)在掩膜表面涂一层光刻胶,再在掩膜上刻出与所需制作的器件的衬底形状相同的窗口,露出3C‑SiC,形成结构化图形;(7)将开窗后的样片置于石英管中,并连接好各个装置,再对石英管加热至800‑1000℃;(8)将装有CCl4液体的三口烧瓶加热至60‑80℃,再向三口烧瓶中通入流速为50‑80ml/min的Ar气,利用Ar气携带CCl4蒸汽进入石英管中,使CCl4与裸露的3C‑SiC反应30‑120min,生成双层碳膜;(9)将生成的双层碳膜样片置于Ar气中,在温度为1000‑1100℃下退火10‑20分钟,在刻出的窗口位置重构成双层结构化石墨烯。 |
地址 |
710071 陕西省西安市西安市太白南路2号 |