发明名称 |
一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器 |
摘要 |
本发明涉及一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器,该电阻是由原料镧、铬、铝、硅的氧化物和原料锰、镍、铬、锆的氧化物分别进行研磨,煅烧,制得颗粒大小均匀,分散性好的单一相材料,再经双相混合,研磨,高温烧结,封装,即可得到高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器,其参数为R0℃=12KΩ±2%,B值为2050K±3%。本发明具有制备工艺简单,操作方便和质量稳定的优点,可在较宽温区内进行测温、控温及线路补偿,与共沉淀法相比大大降低了元件的生产成本,同时节约能源、生产效率显著提高。 |
申请公布号 |
CN101786861B |
申请公布日期 |
2012.09.05 |
申请号 |
CN200910113608.4 |
申请日期 |
2009.12.28 |
申请人 |
中国科学院新疆理化技术研究所 |
发明人 |
张惠敏;常爱民;王伟 |
分类号 |
H01C7/04(2006.01)I;H01C17/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01C7/04(2006.01)I |
代理机构 |
乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106 |
代理人 |
张莉 |
主权项 |
一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器,其特征在于该电阻是由原料镧、铬、铝、硅的氧化物,各组分原子比为:La∶Cr∶Al∶Si=0.6‑1.0∶1.1‑0.4∶0.1‑0.3∶0.2‑0.3和原料锰、镍、铬、锆的氧化物,各组分原子比为:Mn∶Ni∶Cr∶Zr=2.2‑2.7∶0.05‑0.15∶0.06‑0.1∶0.05‑0.69,分别进行研磨,煅烧,制得颗粒大小均匀,分散性好的单一相材料,再经双相混合,研磨,高温烧结,封装,即可得到高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器,具体操作按下列步骤进行:a、将原料镧、铬、铝、硅的氧化物采用氧化物法研磨5‑8h,于950‑1000℃空气气氛下煅烧1.5‑2.5h,二次研磨5‑8h,得到单一钙钛矿相氧化物粉体,备用;b、将原料锰、镍、铬、锆的氧化物采用氧化物法研磨5‑8h,于950‑1000℃空气气氛下煅烧1.5‑2.5h,二次研磨5‑8h,得到单一尖晶石相氧化物粉体,备用;c、将步骤a和步骤b两种氧化物混合研磨2‑5h,得到双相混合的氧化物粉体,其中两种氧化物的比例为:按质量比镧、铬、铝、硅的氧化物∶锰、镍、铬、锆的氧化物=1∶2‑5;d、将双相混合的氧化物粉体成型,在空气气氛下以1‑3℃/min的速率加热到1030‑1100℃,保温30‑60min,再以3‑5℃/min速率加热到1250‑1350℃,烧结并保温1.5‑3h,降温速率为1‑3℃/min,即得双相复合负温度系数热敏陶瓷材料;e、将双相复合陶瓷材料按常规方法进行封装,测试,即可得到高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器,参数为R0℃=12KΩ±2%,B值为2050K±3%。 |
地址 |
830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号 |