发明名称 |
存储器读取方法及存储器 |
摘要 |
本发明公开了一种存储器读取方法及存储器,存储器包括一存储单元,此存储单元包括一第一半单元及一第二半单元。存储器读取方法包括下列步骤。施加一第一电压于存储单元以判断第一半单元的阈值电压是否高于一特定值。若第一半单元的阈值电压高于特定值,施加一第二电压于存储单元以读取第二半单元所储存的数据,第二电压高于第一电压特定值,否则施加一第三电压于存储单元以读取第二半单元所储存的数据,第三电压低于第一电压。 |
申请公布号 |
CN101640073B |
申请公布日期 |
2012.09.05 |
申请号 |
CN200910009693.X |
申请日期 |
2009.02.04 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
洪俊雄;何信义 |
分类号 |
G11C16/26(2006.01)I;G11C16/30(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/26(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种存储器读取方法,该存储器包括至少一存储单元,该存储单元包括一第一半单元及一第二半单元,其特征在于,该存储器读取方法包括:施加一第一电压于该存储单元以判断该第一半单元的阈值电压是否高于一特定值;以及若该第一半单元的阈值电压高于该特定值,施加一第二电压于该存储单元以读取该第二半单元所储存的数据,该第二电压高于该第一电压,否则施加一第三电压于该存储单元以读取该第二半单元所储存的数据,该第三电压低于该第一电压。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |