一种隧穿场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括一个源极、一个漏极、一个栅极、以及一个衬底。所述半导体器件的沟道向衬底内凹陷，使其漏电流降低的同时驱动电流上升。本发明还公开了上述半导体器件的制造方法。本发明制造的半导体器件具有低漏电流、高驱动电流、集成度高等优点，采用本发明的集成电路的静态功耗可以得到降低，集成度也可以得到提高。

主权项

一种隧穿场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底上淀积形成第一层光刻胶；掩膜曝光光刻出漏区需掺杂的图形；在上步处理的衬底上离子注入形成第一种掺杂类型的漏区；第一层光刻胶剥离；在上步处理的结构上淀积形成第一层硬质掩膜；在上步处理的结构上淀积形成第二层光刻胶；掩膜曝光刻蚀暴露出衬底；刻蚀衬底，靠近漏区的一侧形成凹陷沟道结构；第一层硬质掩膜和第二层光刻胶剥离；在上步处理的结构上氧化形成第一层绝缘薄膜；在上步处理的结构上淀积形成第二层绝缘薄膜；在上步处理的结构上淀积形成第一种导电薄膜；在上步处理的结构上淀积形成第二种导电薄膜；在上步处理的结构上淀积形成第三层光刻胶；掩膜曝光刻蚀形成栅区；在上步处理的结构上淀积形成第三层绝缘薄膜；刻蚀形成边墙；刻蚀第二层绝缘薄膜；在上步处理的结构上淀积形成第四层光刻胶；掩膜曝光刻蚀暴露衬底；与水平夹角80‑90度的离子注入形成第二种掺杂类型的源区；第四层光刻胶剥离；在上步处理的结构上淀积形成第四层绝缘薄膜；刻蚀形成通孔；在上步处理的结构上淀积第三种导电薄膜形成电极。