一种以Ta₂O₅薄膜为电介质膜的电容器制备方法

摘要

本发明公开了一种以Ta2O5薄膜为电介质膜的电容器制备方法，其特征在于，包括下列步骤：在所需制备薄膜电容器的衬底上，镀制下部电极；在形成的下部电极上镀制电介质薄膜；在电介质薄膜上镀制电容器的上部电极；其中，所述电介质薄膜的镀制包括，提供一真空腔体，该真空腔体内设有Ta2O5靶材、具有下部电极的衬底；通入氧气体积含量在0.1～20%范围的氧气和氩气的混合气体，工作气压调控在0.2～2Pa之间；采用磁控溅射方法，在待镀膜衬底上形成Ta2O5薄膜层。本发明在室温条件下用直接溅射Ta2O5靶材，不需加温处理；工艺简单、操作方便，可以开发和实现大面积生产新一代高存储密度的DRAM产品。

主权项

一种以Ta2O5薄膜为电介质膜的电容器制备方法，其特征在于，包括下列步骤：在所需制备薄膜电容器的衬底上，镀制下部电极；在形成的下部电极上镀制电介质薄膜；在电介质薄膜上镀制电容器的上部电极；其中，所述电介质薄膜的镀制包括，提供一真空腔体，该真空腔体内设有Ta2O5靶材、具有下部电极的衬底；通入氧气体积含量在0.1～20%范围的氧气和氩气的混合气体，工作气压调控在0.2～2 Pa之间；采用磁控溅射方法，在待镀膜衬底上形成Ta2O5薄膜层。