一种绒面结构BZO/HGZO复合薄膜及应用

摘要

一种绒面结构BZO/HGZO复合薄膜，具有玻璃/绒面结构BZO/高电导率HGZO结构，其中BZO为B掺杂ZnO；HGZO为H化Ga掺杂ZnO；其制备方法是利用MOCVD技术和磁控溅射技术相结合生长高迁移率绒面结构BZO/高电导率HGZO薄膜；该复合薄膜可应用于pin型μc-Si薄膜太阳电池和a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池。本发明的优点：MOCVD技术获得的BZO薄膜具有绒面结构，同时在较低B掺杂情况下有效地降低了自由载流子浓度，提高了薄膜电子迁移率，减少了对i近红外区域的吸收；磁控溅射技术生长高电导并且具有高电子迁移率的HGZO薄膜，降低了对太阳光谱中近红外区域的吸收。

主权项

一种绒面结构BZO/HGZO复合薄膜，其特征在于：具有玻璃/绒面结构BZO/高电导率HGZO结构，其中BZO为B掺杂ZnO，即ZnO:B，BZO薄膜厚度为800‑2500nm；HGZO为H化Ga掺杂ZnO，即ZnO:Ga/H，HGZO薄膜厚度为200‑800nm；所述绒面结构BZO/HGZO复合薄膜的制备方法，利用MOCVD技术和磁控溅射技术相结合生长高迁移率绒面结构BZO/高电导率HGZO薄膜，由以下步骤实现：1）利用MOCVD技术，用纯度为99.995%的二乙基锌（DEZn）和水作为源材料，氢稀释浓度为1%的硼烷B2H6作为掺杂气体，生长B低掺杂ZnO透明导电薄膜，掺杂剂流量百分比含量为（0.1‑1）%，基片衬底温度为130‑180℃；2）利用磁控溅射技术，用纯度为99.99%的ZnO:Ga2O3陶瓷靶材作为溅射靶材，掺杂剂Ga2O3的重量百分比含量为（0.5‑1.0）%，以及H2作为气源材料，溅射气体采用Ar气体，生长高迁移率氢化镓掺杂ZnO（ZnO:Ga/H，HGZO）薄膜，玻璃基片衬底温度为25‑250℃。