平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极

摘要

本发明公开了一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为非矩形的平行四边形，N型焊盘位于平行四边形的一个角上，N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于平行四边形芯片的中心，P型条形电极首先沿N型焊盘所在角对应的对角线方向分布，然后再平行于平行四边形芯片的边缘分布，在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，保证了平行四边形LED芯片的电流分布均匀，从而达到提高平行四边形LED芯片的出光效率和寿命的目的。

主权项

一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极，包括P电极和N电极，其制备方法是：对GaN外延片进行台面刻蚀，形成P型GaN台面和N型GaN沟槽，在P型GaN材料上生长P型电极，在沟槽内制备N型电极，其特征在于：LED芯片形状为非矩形的平行四边形，N型焊盘位于该非矩形的平行四边形的一个角上，N型条形电极自N型焊盘出发沿该非矩形的平行四边形的边缘环绕一周；P型电极的焊盘位于该非矩形的平行四边形的中心，P型条形电极首先沿N型焊盘所在角对应的对角线方向分布，然后再平行于该非矩形的平行四边形的边缘分布；在该LED芯片内部N电极与P电极对称分布，以保证该LED芯片的电流分布均匀，从而提高该LED芯片的出光效率和寿命。