掺杂的有机半导体材料以及其制备方法

摘要

本发明涉及具有增大的载流子密度和更有效的载流子迁移率的掺杂有机半导体材料，它可以通过采用包括一个或多个有机分子基团(A)和至少一个其他的结合配对物(B)的化合物掺杂有机半导体材料来获得。通过至少一个有机分子基团(A)或通过至少一个分子基团(A)和另一原子或分子的反应产物从所述化合物离解至少一个有机分子基团(A)之后，获得所期望的掺杂效果。

主权项

具有增大的载流子密度和有效的载流子迁移率的掺杂有机半导体材料，其是通过采用由一个或多个有机分子基团A和至少一个其他的结合配对物B组成的化合物对有机半导体材料进行掺杂而获得的，其中在通过至少一个有机分子基团A或者通过至少一个分子基团A和另一原子或分子的反应产物从所述化合物失去至少一个有机分子基团A之后得到所期望的掺杂效果，所述有机分子基团A作为阳离子或阴离子存在于所述掺杂的半导体材料中。