发明名称 一种亚微米氧化铝陶瓷材料及其制备方法
摘要 一种亚微米氧化铝陶瓷材料及其制备方法,属于结构陶瓷材料技术领域。本发明以粒径为纳米级或亚微米级的α-Al2O3粉体为原料,经过成型,采用深度降温法无压烧结制备得到晶粒尺寸小于1微米的氧化铝陶瓷材料。该方法具有烧结温度低、制备工艺简单、可在无压烧结条件下获得亚微米级氧化铝陶瓷、制备得到的陶瓷平均晶粒尺寸小,且可以通过改变烧结工艺控制其平均晶粒尺寸的优点。制备得到的亚微米氧化铝陶瓷材料相对密度大于98%,具有高的机械性能。
申请公布号 CN101704680B 申请公布日期 2012.09.05
申请号 CN200910237549.1 申请日期 2009.11.18
申请人 中国地质大学(北京) 发明人 王小军;房明浩;黄朝晖;刘艳改;刘凤娇
分类号 C04B35/622(2006.01)I;C04B35/111(2006.01)I 主分类号 C04B35/622(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种亚微米氧化铝陶瓷材料的制备方法,其特征在于:以粒径为纳米级或亚微米级的a‑Al2O3粉体为原料,经过成型,采用深度降温法无压烧结制备得到,制备得到的氧化铝陶瓷材料晶粒尺寸小于1微米,所采用的深度降温法无压烧结的具体方法如下,先以1℃‑40℃/min的升温速率将试样加热到最高烧结温度T1,经过短时间保温或不保温,以10℃‑100℃/min的速率降温至T2,经过短时间保温或不保温,再以1℃‑40℃/min的速率升温至最终烧结温度T3,保温一定时间后冷却,其中最高烧结温度T1的温度范围为1100℃‑1700℃,降温幅度(T1‑T2)的范围为50℃‑300℃,最高烧结温度与最终烧结温度之差(T1‑T3)的范围为20℃‑150℃,以上升温、降温、保温的步骤可根据实际情况重复多次或不重复。
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