一种改善晶片处理均匀性的喷淋头

摘要

一种改善晶片处理均匀性的喷淋头，根据原先晶片各个区域处理速率的不同情况，在同一个喷淋头上使用圆柱孔、锥形孔或台阶孔中至少两种气孔结构的组合，优选是使喷淋头上气孔一端的口径一致，在另一端的口径扩大或减小；在需要气体流量大的喷淋头分区上设置口径较大的气孔，来加快晶片上对应区域的处理反应速率；而在喷淋头上需要气体流量小的分区设置口径较小的气孔，来减缓晶片上对应区域的处理反应速率，从而抵消原先由于排气等原因造成等离子体在晶片表面不均匀分布的影响，最终获得对晶片各区域均匀处理的效果。

主权项

一种改善晶片处理均匀性的喷淋头，其设置在等离子体处理装置的反应腔（10）内的上部，使反应气体通过该喷淋头（30）上分布设置的多个气孔，输送至反应腔（10）内晶片（40）的上方；其特征在于，所述喷淋头（30）上设置有若干个分区，各个分区的位置与晶片（40）上划分的若干个区域相对应，所述多个分区包括一个第一分区，以及将第一分区包围在其中心的第二分区；第一分区和第二分区上对应布置有不同形状的气孔，不同形状的各个气孔在其上下两端开口中至少有一端的直径不同，使得反应气体通过各个分区输送时的流量不同。