| 发明名称 | 牺牲栅去除方法及栅堆叠制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种牺牲栅去除方法及栅堆叠制作方法。根据本发明的牺牲栅去除方法，包括对牺牲栅进行各向同性湿法刻蚀，以去除牺牲栅。并且，去除牺牲栅之后，可以进一步填充栅导体，以形成替代栅堆叠。通过利用各向同性湿法刻蚀代替常规的各向异性干法刻蚀来去除牺牲栅，可以更有效地清除牺牲栅，并且可以避免对栅堆叠中其他部分造成损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN102655121A | 申请公布日期 | 2012.09.05 |
| 申请号 | CN201110051453.3 | 申请日期 | 2011.03.03 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 杨涛;殷华湘;徐秋霞;赵超;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种去除栅堆叠中牺牲栅的方法，包括：对牺牲栅进行各向同性湿法刻蚀，以去除牺牲栅。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||