| 发明名称 | 成叠晶片结构 | ||
| 摘要 | 根据本发明的实施例，提供了一种包括合金的碾压为薄片形状的无铅焊料。该合金包括；锡；从10wt％至不足25wt％的银；以及从3wt％至5wt％的铜。该合金是无铅的。 | ||
| 申请公布号 | CN1907635B | 申请公布日期 | 2012.09.05 |
| 申请号 | CN200610108507.4 | 申请日期 | 2006.08.03 |
| 申请人 | 富士电机株式会社;浅见真 | 发明人 | 莳田一之;一瀬正树;渡岛豪人;早乙女全纪;山下满男;浅黄刚;平井雅敏;村田透 |
| 分类号 | B23K35/26(2006.01)I;B23K35/02(2006.01)I | 主分类号 | B23K35/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种成叠晶片结构，包括：多片半导体晶片；和设置在所述多片半导体晶片之间以结合所述多片半导体晶片的无铅焊料，其中，所述无铅焊料具有通过碾压焊料合金的锭料而获得的薄片形状，所述焊料合金由以下成分构成：锡；大于等于10重量％小于25重量％的银；3重量％～5重量％的铜；和不可避免的成分，其中所述焊料合金不含铅。 | ||
| 地址 | 日本国川崎市 | ||