具有改进的读/写稳定性的静态随机存取存储器

摘要

本发明提出了静态随机存取存储器(SRAM)单元，其包括耦合在正电源电压和电源地之间且具有至少第一存储节点的交叉耦合的反相锁存器；和串行连接在所述第一存储节点和预设的电压源之间的第一和第二切换器件，其中所述第一切换器件由字选择信号控制，和所述第二切换器件由第一位选择信号控制，其中所述字选择信号或所述第一位选择信号均仅在写操作时被激活。

主权项

一种静态随机存取存储器(SRAM)单元包括：耦合在正电源电压和电源地之间的锁存器，具有至少第一存储节点，和串行连接在所述第一存储节点和预设的电压源之间的第一和第二切换器件，其中所述第一切换器件由字选择信号控制，和所述第二切换器件由第一位选择信号控制，其中所述字选择信号和所述第一位选择信号在写操作时均被激活；其中，所述锁存器包括两个交叉耦合的反相器，所述第一存储节点与所述交叉耦合的反相器中一个反相器的输出端和与所述交叉耦合的反相器中另一个反相器的输入端均相连；所述SRAM单元还包括：在所述锁存器上的第二存储节点，其具有在静态时与所述第一存储节点互补的电压；串行连接在所述第二存储节点和所述预设的电压源之间的第三和第四切换器件，其中所述第三切换器件由所述字选择信号控制，且所述第四切换器件由所述第二位选择信号控制，其中在激活期间所述第一和第二位选择信号具有相互互补的电压。